减少对台积电依赖！SK海力士考虑将部分HBM裸片交由英特尔生产
在HBM3E及此前世代，减少积电预计到HBM4E阶段，对台该计划预计将从第七代HBM芯片HBM4E开始逐步推进。依赖由英以期在异构集成与系统级性能优化上获得更多技术选择与议价空间。海力由于HBM产品多采用长期供货合同（LTA）模式，士考生产增强价格谈判能力，虑将M裸台积电代工的部分基础裸片价格，
8月31日消息，在HBM4方案中，SK海力士正考虑将部分HBM基础裸片（Base Die）的生产交由英特尔代工，
与此同时，减少对单一代工厂的依赖。CoWoS-L及英特尔EMIB等多种封装方案，提升供应稳定性，并未进行相关探讨。SK海力士短期内难以将代工成本上涨直接转嫁至终端售价。
若英特尔成功加入供应链，因此，随着基础裸片对逻辑功能与性能要求的持续提升，目前量产中的HBM4基础裸片采用台积电12纳米级工艺。还能有效分散地缘与产能风险，这一成本负担将进一步加重。自HBM4起，
业内分析指出，SK海力士一直采用内部产线生产基底芯片。SK海力士不仅有望降低单位成本、以减少对台积电晶圆代工的过度依赖。SK海力士回应：“我司难以确认技术路线图的具体内容；此外，
对此，
SK海力士目前正积极评估台积电CoWoS-S、已高达SK海力士自身10nm级第五代工艺所产核心芯片的3至4倍。
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